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SPB10N10LG

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB Infineon Technologies 168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SPB10N10LG参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
包装数量:1000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):154 毫欧 @ 8.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 21µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):444pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:表面贴装

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